Am 25. Juni 2026 haben 17 Kläger vor dem US District Court Northern California eine Sammelklage gegen Samsung, SK Hynix und Micron eingereicht. Der Vorwurf: koordinierte Produktionsdrosselung von DRAM-Speicher, um Preise um rund 700 Prozent zu treiben. Drei Konzerne, die zusammen rund 90 Prozent des globalen DRAM-Markts kontrollieren, stehen damit erneut unter kartellrechtlichem Beschuss.

drweb.de als bevorzugte Quelle auf Google hinzufügenQualitätsgeprüfte Inhalte direkt in Google News & DiscoverJetzt hinzufügen

Das Wichtigste in Kürze

  • 17 Kläger haben am 25. Juni 2026 Sammelklage nach Sherman Act Section 1 eingereicht
  • Vorwurf: koordinierter Kapazitätsentzug durch HBM-Umstellung statt unabhängiger Marktentscheidung
  • Historisches Muster: Dieselben Konzerne haben 2005 bereits DOJ-Bußgelder gezahlt und 2010 EU-Strafen in Höhe von 331 Millionen Euro akzeptiert
  • DACH-IT-Einkäufer sollten Langfristverträge priorisieren und Server-Refreshes nicht auf Q3 terminieren

HBM als Hebel: Wie die Kapazitätsdrosselung technisch funktioniert

Geldstapel mit Preisschildern und Richterhammer auf weißem Grund
HBM-Produktion verdrängt DDR5 in Samsungs Reinräumen: HBM benötigt dreifache Waferfläche pro Gigabyte und schwächere Ausbeute durch komplexes Stacking

Die Klage dreht sich um einen physischen Verdrängungseffekt, keinen klassischen Nachfrageeinbruch. High Bandwidth Memory (HBM) benötigt je Gigabyte rund dreimal so viel Waferfläche wie DDR5, bei gleichzeitig schlechterer Ausbeute durch komplexes Stacking-Packaging. Da Samsung, SK Hynix und Micron dieselben Reinraumkapazitäten für beide Produkte nutzen, entzieht jede umgeleitete Wafer-Charge der konventionellen DDR3- und DDR4-Fertigung direkt Kapazität. Die Speicherknappheit, die seit 2024 Server-, PC- und Gerätekäufe verteuert hat, hat hier ihre physische Wurzel, wie auch unser Beitrag zur Speicher-Knappheit im Mittelstand zeigt.

Die Kläger argumentieren nun nach Sherman Act Section 1, dass dieser Kapazitätswechsel nicht unabhängig, sondern koordiniert vollzogen worden ist. In einem funktionierenden Wettbewerb hätte mindestens einer der drei Anbieter bei steigenden Preisen die konventionelle Produktion ausgeweitet. Das ist ausgeblieben. Grund dafür ist die Struktur des Oligopols: Eine neue DRAM-Fab kostet über 10 Milliarden Euro und braucht zwei bis drei Jahre Vorlauf, was einen Alleingang für jeden der drei Konzerne wirtschaftlich sicher gestellt hat. Den historischen Zusammenhang der Speicherpreise seit 1960 beleuchtet unsere Analyse des RAM-Preisverfalls.

Das DRAM-Oligopol ist kein Unfall, sondern ein Konstruktionsmerkmal: Wer drei Anbieter mit identischen Kapazitätsentscheidungen und null Alleingänger sieht, hat keinen Markt vor sich, sondern eine Absprache, die noch keinen Namen trägt.

— Michael Dobler, Herausgeber Dr. Web

Dreimal dasselbe Drehbuch: Was die Klagehistorie verrät

Balkenwaage im Gleichgewicht mit Euro-Münzen links und Arbeitsspeicher-Modul rechts
Die Wafer-Umverteilung von DDR5 zu HBM entzieht der konventionellen DRAM-Fertigung direkt Kapazität und treibt die Preise.

Das Muster ist dreifach dokumentiert. Zwischen 1998 und 2002 haben Samsung, SK Hynix und Micron ein internationales DRAM-Preiskartell betrieben. 2005 haben Samsung 300 Millionen USD und SK Hynix 185 Millionen USD an das US-Justizministerium gezahlt. 2010 hat die EU-Kommission im Fall AT.38511 zusätzlich 331 Millionen Euro verhängt, mit Samsung als Höchstbußenträger bei 145,7 Millionen Euro. Die Hyperscaler-Dominanz bei Speicherchips verschärft diese Abhängigkeit strukturell weiter.

Eine zweite Sammelklage wegen der Preisexplosion von 2016 bis 2018 (plus 47 Prozent pro Bit allein in 2017) ist 2022 in der Berufung abgewiesen worden. Die aktuellen Kläger müssen deshalb stärkere Belege expliziter Koordination vorlegen, um eine erneute Abweisung zu vermeiden. Strukturell erfüllt der DRAM-Markt die Merkmale eines Lehrbuch-Oligopols: geographisch konzentrierte Produktion, synchrone Kapazitätsentscheidungen ohne erkennbaren Alleingänger und Markteintrittsbarrieren, die Bundeskartellamt und EU-Kommission erfahrungsgemäß als Ermittlungsansatz nutzen. Samsungs Halbleiter-Gewinnbeteiligung von bis zu 291.000 Euro pro Kopf in 2026 illustriert, wie profitabel die aktuelle Preislage für die Hersteller ist.

Was bedeutet das für IT-Einkäufer im DACH-Raum?

Drei identische Fabrikmodelle mit „Kein Eintritt“-Schildern und einem billigen Helm davor
Markteintrittsbarrieren von über 10 Milliarden Euro pro Fabrik schützen das DRAM-Oligopol strukturell vor Wettbewerb.

Im EU-Wettbewerbsrecht greift Artikel 101 AEUV direkt, sobald Preisabsprachen den europäischen Markt betreffen. Die EU-Kommission hat das 2010 bereits bewiesen; eine Paralleluntersuchung für den aktuellen Preiszyklus ist denkbar. Das Bundeskartellamt kann zudem gemäß GWB § 33 Schadenersatzklagen für deutsche Abnehmer ermöglichen, sobald eine Hauptentscheidung vorliegt. Lieferketten-Risiken jenseits der Preisfrage, etwa durch kritische Spezialchemikalien, beschreibt unser Beitrag zu WF6-Engpässen in der Chip-Fertigung.

Für IT-Einkäufer und Entscheider im DACH-Mittelstand ergeben sich drei konkrete Handlungsschritte. Jefferies rechnet mit weiteren 40 bis 50 Prozent Preisanstieg auf dem Spotmarkt in Q3 2026, weshalb Langfristverträge mit Distributoren für H2 2026 und 2027 Priorität haben sollten. Server-Refresh-Projekte sollten nicht auf Q3 terminiert werden, sondern vorgezogen oder auf Cloud- und Hybrid-Optionen umgestellt werden. Zusätzlich empfiehlt sich eine Streuung der Beschaffung auf mehrere Anbieter und Produktlinien, insbesondere LPDDR-Segment und gebrauchter DDR4, um Klumpenrisiken im Oligopolmarkt zu begrenzen. Die strukturellen Halbleiter-Abhängigkeiten der deutschen Industrie beschreibt unser Grundlagentext zu Silizium als geopolitischer Schlüsselrohstoff. Welche deutschen Rechenzentren betroffen sind, zeigt unser Überblick über die 15 größten Rechenzentren in Deutschland.

Mehr Newshunger?

4,2 10 Bewertungen

Wie hat Ihnen dieser Artikel gefallen?